导读：近日据TrendForce发布的一份报告显示，由于美国对华半导体出口管制，SK海力士已推迟对旗下无锡厂DRAM芯片产线的技术升级计划。
图：SK海力士的晶圆厂
这份报告还称，SK海力士的长期战略“涉及将其产能扩张转移回韩国，而无锡工厂则迎合中国国内需求和传统工艺消费DRAM市场”。如果得到证实，意味着韩国芯片制造商（包括三星电子）将重新审视其在华投资和布局。
芯片大师曾报道三星、海力士在华业绩因管制等大幅恶化，无论SK海力士在停止产线升级和迁移产能之间如何选择，对于中国大陆的半导体业而言，都是巨大的打击。
目前，三星和SK海力士都将中国作为最大、最先进的海外制造基地+单一市场，包括封测、代工等在内，韩国在华半导体企业也是外资中投入力度最大、创造效益最多的，这一点毋庸置疑。
图：SK海力士无锡二厂
在此之前，三星和SK海力士正在升级产线设备，而尽管目前美国政府临时给韩企在华设备进口设备进口开了“绿灯”，但长期受限制的趋势已经不可避免。
再看国内的存储器行业，加上另外三家已经严重受影响的中国本土大型存储器企业，芯片大师此前预估的两个可能的结果正在成为现实：一是存储器工艺暂时被“锁死”，中国大陆将在一段时期内失去先进存储器制造能力，二是部分在华外资企业的设施将被迫陆续转移至海外，这是存储器本身对先进制程的高度依赖决定的。
据悉，SK海力士计划将其无锡晶圆厂的主流工艺从1y纳米 (nm) 升级到更先进的1z nm，两者都属于10纳米级。但据爆料，在美国升级对华半导体出口管制后，SK海力士选择增加其传统的21nm生产线的产能。
图：SK海力士的芯片
分析师认为，SK海力士的风险很高。其无锡工厂是目前江苏最大的外商投资项目，该工厂对全球电子行业也至关重要，因为它负责制造SK海力士大约一半的DRAM芯片产量和全球产量的15%。
“自从近年来存储芯片行业过渡到1-α工艺以来，1z-nm工艺……一直是海力士和三星的主力军”，1-α工艺是指SK海力士用于制造先进DRAM产品的第四代10纳米技术，紧随前三代工艺：即1x、1y和1z。同时，该工艺首次采用ASML的极紫外 (EUV) 设备用于批量生产。
近期另一个消息是，韩日两国决定重启停摆了十余年的政府间科技合作协商。据韩国产业界人士表示，日韩双方讨论的重点是扩大经济合作，以确保芯片等供应链安全。
这是否意味着韩国有可能将和美日统一步调，也将采取类似的对华出口管制措施？
